



Die in diesem Artikel vorgeschlagene Methode zur Unterstützung interner Spannungen ohne zusätzliche Energie bietet eine wirtschaftliche und praktische neue Strategie zur Verbesserung der Batteriereaktionsdynamik.
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Die Röntgenbeugungstechnologie wird häufig in der Forschung an Lithium-Ionen-Batterien eingesetzt. XRD ist eine konventionelle Methode zur qualitativen und quantitativen Analyse von Phasen in Materialien.
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Das Prinzip vieler Charakterisierungsgeräte besteht darin, Elektronen mit zu detektierenden Substanzen in Wechselwirkung zu bringen, Sekundärelektronen anzuregen oder Übergänge und Rücksprünge auf atomarer Ebene vorzunehmen und charakteristische Energie freizusetzen.
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Da die Nachfrage nach Lithiumbatterien weiter wächst, müssen deren Produktions- und Sicherheitsstandards dringend verbessert werden. Daher sind hochauflösende 3D-Inspektionssysteme mit hohem Durchsatz unerlässlich.
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XRD kann Massen- und Pulverproben messen und stellt unterschiedliche Anforderungen für unterschiedliche Probengrößen und -eigenschaften.
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Das globale Röntgendiffraktometer (XRD) hat sich in den letzten Jahren stetig weiterentwickelt und China ist ein Markt mit großen Entwicklungsaussichten.
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Am Beispiel der Abscheidungsskalierung stellt dieser Artikel vor, wie man Röntgendiffraktometer für die qualitative Phasen- und quantitative Analyse verwendet.
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Die Anwendung neuer Technologien und neuer Produkte wie 5G, Big Data und künstliche Intelligenz wird eine enorme Nachfrage auf dem Halbleitermarkt mit sich bringen, und die weltweiten Ausgaben für Halbleiterausrüstung sind in einen Aufwärtszyklus eingetreten.
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In den letzten Jahren besteht ein wachsendes Interesse an der Messung biologischer Hochdruckproben. Dies spiegelt sich in der Entwicklung neuer Techniken zur Druckmessung wider, die sich von den von DAC implementierten unterscheiden. Eine davon ist die Technik des Einfrierens von Kristallen unter Druck.
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Hochauflösendes XRD (HR-XRD) ist eine gängige Methode zur Messung der Zusammensetzung und Dicke von Verbindungshalbleitern wie SiGe, AlGaAs, InGaAs usw.
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