



Die Röntgenbeugung wird in zwei Arten unterteilt: Einkristallbeugung und Pulverbeugung. Einkristall wird hauptsächlich zur Bestimmung des Molekulargewichts und der Kristallstruktur verwendet, Pulver wird hauptsächlich zur Identifizierung und Reinheit kristalliner Substanzen verwendet.
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GIWAXS ist eine Technik zur Charakterisierung der inneren Mikrostruktur von Dünnschichtproben. Die entsprechende Strukturgröße liegt zwischen 10 nm und 1 µm und wird daher häufig zur Charakterisierung der Kristallisation in Solar-Dünnschichtzellen verwendet.
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HRXRD ist eine leistungsstarke zerstörungsfreie Prüfmethode. Zu den Forschungsobjekten gehören hauptsächlich Einkristallmaterialien, epitaktische Dünnschichtmaterialien für Einkristalle und verschiedene niedrigdimensionale Halbleiterheterostrukturen.
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Das polykristalline Phänomen von Arzneimitteln bezieht sich auf die Bildung unterschiedlicher Kristallzustände eines Verbindungsmoleküls im festen Zustand aufgrund der unterschiedlichen Kristallanordnung und Füllmethoden.
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Im Prozess der Arzneimittelentwicklung spielen die Eigenschaften und die Struktur von Arzneimittelkristallpulvern eine entscheidende Rolle für deren Wirksamkeit und Sicherheit, und die Anwendung der Röntgenbeugungstechnologie (XRD) stellt uns ein leistungsstarkes Werkzeug zur Verfügung.
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Ein Röntgendiffraktometer ist ein Gerät, das das Prinzip der Wechselwirkung zwischen Röntgenstrahlen und Substanzen nutzt, um durch Messung des Beugungswinkels und der Intensität von Röntgenstrahlen in Substanzen Informationen wie Kristallstruktur und Gitterkonstante von Substanzen zu erhalten.
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Charakterisierungsmethoden für einatomige Kupferkatalysatoren werden häufig verwendet, um deren Struktur und Eigenschaften zu bestimmen. Im Folgenden sind einige gängige Charakterisierungsmethoden aufgeführt.
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Durch Röntgenbeugung des Materials und Analyse seines Beugungsmusters werden Informationen wie die Zusammensetzung des Materials, die Struktur oder Morphologie der inneren Atome oder Moleküle gewonnen.
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In diesem Artikel analysieren wir kurz einen (eigentlich zwei) Kristalldefekte, einen Fehler und einen Schichtfehler in diesen drei Kristallstrukturen. Auch andere Kristallstrukturen weisen Störungen und Schichtfehler auf.
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