Der dreidimensionale Raum der Atome ist in einer Fernordnung angeordnet, und die kleinste Einheit wiederholter Anordnung wird Zelle genannt, die in 7 Arten von Kristallsystemen, 14 Arten von Gittern und 230 Arten von Raumgruppen unterteilt werden kann nach dem Anordnungsgesetz.
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Das Dandong Tongda TD-5000Röntgen-Einkristalldiffraktometer gewann den „ACCSI2023 Instrument and Detection 3i Award – 2022 Annual Scientific Instrument Industry Outstanding New Product Award“.
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Obwohl Kristalle schon lange wegen ihrer Regelmäßigkeit und Symmetrie bewundert wurden, wurden sie erst im 17. Jahrhundert wissenschaftlich untersucht. Werfen wir einen Blick auf die Frühgeschichte der Kristallographie.
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Mithilfe des Prinzips der Röntgenbeugung wird der Schnittwinkel natürlicher und künstlicher Einkristalle genau und schnell bestimmt, und die Schneidemaschine ist für das gerichtete Schneiden dieser Kristalle ausgestattet.
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Die Röntgenbeugungstechnologie wird häufig in der Forschung an Lithium-Ionen-Batterien eingesetzt. XRD ist eine konventionelle Methode zur qualitativen und quantitativen Analyse von Phasen in Materialien.
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Das Mittherbstfest, die Festfeier! Dandong Tongda Technology Co., Ltd. ermöglicht allen Mitarbeitern die Gewährung von Vorteilen für das Mittherbstfest!
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Das globale Röntgendiffraktometer (XRD) hat sich in den letzten Jahren stetig weiterentwickelt und China ist ein Markt mit großen Entwicklungsaussichten.
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Die Anwendung neuer Technologien und neuer Produkte wie 5G, Big Data und künstliche Intelligenz wird eine enorme Nachfrage auf dem Halbleitermarkt mit sich bringen, und die weltweiten Ausgaben für Halbleiterausrüstung sind in einen Aufwärtszyklus eingetreten.
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In den letzten Jahren besteht ein wachsendes Interesse an der Messung biologischer Hochdruckproben. Dies spiegelt sich in der Entwicklung neuer Techniken zur Druckmessung wider, die sich von den von DAC implementierten unterscheiden. Eine davon ist die Technik des Einfrierens von Kristallen unter Druck.
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Hochauflösendes XRD (HR-XRD) ist eine gängige Methode zur Messung der Zusammensetzung und Dicke von Verbindungshalbleitern wie SiGe, AlGaAs, InGaAs usw.
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